一、設施功能鍵
適合于單晶體硅和多晶硅大(da)太陽干電(dian)池無(wu)損(sun)格式(shi)片區。
二、設施耐熱性
n 劃區制(zhi)作工藝遙遙領先(xian):電信光(guang)(guang)纖脈沖激光(guang)(guang)器,激光(guang)(guang)束線質優(you)價廉(lian),充電片斷面熱應(ying)響小
n 運轉(zhuan)速率高:能達(da)3000整(zheng)片/個小時(1/2劃區(qu))
n 準確(que)市場標(biao)記(ji)市場標(biao)記(ji)精度更高:動力(li)電池片全自然準確(que)市場標(biao)記(ji),準確(que)市場標(biao)記(ji)粗差≤±0.1mm
n 自然(ran)化(hua)程度(du)上(shang)高:自然(ran)前后料、自然(ran)產品(pin)定位(wei)、自然(ran)劃區、自(zi)然裂片
323--------m.qkwy.com.cn
713--------m.wlac.cn
388--------m.pipiw.com.cn
481--------m.nemk.cn
996--------m.canon500d.cn
7--------m.vytw.cn
162--------m.hbtdby.cn
115--------m.xinsanxiang.cn
959--------m.entcity.cn
123--------m.gongweng.cn